第一導電類型的半導體層，形成在與半導體層的上表面相鄰的半導體層中的第二導電類型的有源區(qū)，以及至少一個基本上垂直地延伸穿過有源區(qū)并且至少部分地進入半導體的半導體層層溝槽電極。
柵控二極管的第一端電耦合到溝槽電極，并且至少第二端電耦合到有源區(qū)。
根據在第一和第二端之間施加的電壓電位，柵控二極管在第一模式和第二模式中的至少一個模式下工作。
第一模式的特征在于在半導體層中產生基本上圍繞溝槽電極的反型層。
柵控二極管在第一模式中具有第一電容而在第二模式中具有第二電容，第一電容基本上大于第二電容。
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