在以下內(nèi)容中，編輯器將報告元素半導體，化合物半導體和本征半導體。

如果半導體是您想知道的焦點之一，則不妨與編輯者一起閱讀本文。

1.元素半導體導論元素半導體是具有相同元素的半導體特性的固體材料，即電阻率約為10-5?107Ω·cm，微量雜質(zhì)和外部條件的變化將顯著改變其導電性固體材料。

在元素周期表中，金屬和非金屬元素之間具有十二種具有半導體特性的元素，硼（B），金剛石（C），硅（Si），鍺（Ge），灰錫（Sn），磷（P ），灰砷（As），黑銻（Sb），硫（S），硒（Se），碲（Te），碘（I）。

硅是半導體工業(yè)中使用最廣泛的硅，這在很大程度上歸因于二氧化硅的特殊性能。

首先，二氧化硅薄膜層可以有效地掩蓋最重要的受體和施主雜質(zhì)的擴散，從而為器件制造過程中的選擇性擴散提供最理想的掩膜，從而可以準確地形成器件的組裝圖案其次，具有氧化膜的硅表面具有比自由表面更好的電學特性，因此硅器件更容易解決表面鈍化問題，并且容易獲得良好的重復性和器件特性的穩(wěn)定性。

另外，由于二氧化硅，它是非常穩(wěn)定的絕緣體。

它夾在硅和金屬之間以形成金屬氧化物半導體結(jié)構。

它是MOS場效應晶體管的基礎，后者是一種單極器件，僅使用多數(shù)載流子來工作。

由于化合物半導體材料的氧化物具有一些本質(zhì)上難以克服的缺點，因此，硅MOSFET目前是唯一可以廣泛使用的MOS器件。

2.化合物半導體簡介閱讀了什么是元素半導體之后，讓我們看一下什么是化合物半導體？一般而言，化合物半導體是指結(jié)晶無機化合物半導體，這意味著它們由兩個或多個元素確定。

由的原子比形成的化合物，并具有某些半導體性質(zhì)，如禁帶寬度和能帶結(jié)構。

包括晶體無機化合物（例如III-V，II-VI化合物半導體）及其固溶體，非晶態(tài)無機化合物（例如玻璃半導體），有機化合物（例如有機半導體）和氧化物半導體。

一般而言，化合物半導體是指結(jié)晶無機化合物半導體。

主要是二元化合物，例如砷化鎵，磷化銦，硫化鎘，碲化鉍，氧化亞銅等，其次是二元和多種化合物，例如砷化鎵鋁，銦鎵砷磷，砷化鎵磷，硒化銅銦和一些稀有化合物稀土化合物（例如SeN，YN，La2S3等）。

通常使用Bridgman方法（從熔體中生長單晶的方法），液體密封的Czochralski方法和垂直梯度凝固方法來制備化合物半導體單晶，并且它們的薄膜和薄膜是通過外延制備的，化學氣相沉積等。

超薄的微結(jié)構復合材料。

用于制備光電器件，超高速微電子器件和微波器件。

3.本征半導體簡介閱讀了什么化合物半導體后，讓我們看一下本征半導體是什么。

純半導體稱為本征半導體。

在本征半導體中，自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)。

被稱為電子空穴對。

因此，自由電子和空穴的濃度相等。

由于物質(zhì)的運動，半導體中不斷產(chǎn)生電子-空穴對，電子不斷填充空穴，使電子-空穴對消失，動態(tài)平衡時會有一定濃度的電子-空穴對。

到達了。

在室溫下，載流子很少，電導率非常弱。

當溫度升高或光增加時，激發(fā)的電子-空穴對的數(shù)量增加，并且半導體的電導率將增加。

利用本征半導體的這一特性，可以制造熱敏電阻和光敏電阻之類的熱敏器件和光敏器件，其電阻會隨溫度和光照射強度而變化。

以上是編輯者希望與您共享的與元素半導體，化合物半導體和本征半導體相關的內(nèi)容